ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKY75N120CH3XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKY75N120CH3XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938000mW 4-Pin(4+Tab…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKY75N120CH3XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Последняя цена
1370 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKY75N120CH3XKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2409072
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Transistor Configuration
Одинарный
Energy Rating
6.3
Длина
15.9мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
150 А
Максимальное рассеяние мощности
938 Вт
Номинальная энергия
6.3
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
22.5мм
Число контактов
4
Размеры
15.9 x 5.1 x 22.5мм
Скорость переключения
60кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Емкость затвора
4856пФ
Тип канала
A, P
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
5.1мм
Конфигурация
Single
Количество транзисторов
1
Number of Transistors
1
Pd - рассеивание мощности
938 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
150 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
150 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO247-4-2
Другие названия товара №
IKY75N120CH3 SP001465128
Серия
IGBT HighSpeed 3
Технология
Si
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet , pdf
, 376 КБ
Datasheet IKY75N120CH3 (Infineon) , pdf
, 2042 КБ
Datasheet IKY75N120CH3XKSA1 , pdf
, 1559 КБ