ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGA20N120FTDTU - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGA20N120FTDTU
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGA20N120FTDTU
Последняя цена
550 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
корпус: TO-3PN, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт
Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2378128
Технические параметры
Производитель
ON Semiconductor
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
ON Semiconductor
Base Product Number
FGA20 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-3P
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Configuration
Одиночный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
40 A
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Pin Count
3
Dimensions
15.8 x 5 x 18.9мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Channel Type
N
Длина
15.8мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
18.9мм
Число контактов
3
Размеры
15.8 x 5 x 18.9мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±25V
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60A
Gate Charge
137nC
Power - Max
298W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
447ns
Максимальная рабочая температура
+150 °C
IGBT Type
Trench Field Stop
Ширина
5мм
Вес, г
6.9
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 415 КБ
Datasheet , pdf
, 412 КБ
