FSB560A
Производитель: ON Semiconductor
Биполярный (BJT) транзистор NPN 60V 2A 75MHz 500mW Surface Mount 3-SSOT
BC817-40
Производитель: NXP Semiconductor
| Структура | NPN |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | SOT23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
MJ11015-CDI, Транзистор: PNP; биполярный; Дарлингтон; 120В; 30А; 200Вт; TO3
Производитель: Continental Device India
NTE48, Trans Darlington NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TO-92
Производитель: NTE Electronics, NTE48
Биполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 50V 1A 1GHz 1W Through Hole TO-92L
2SA608N
Производитель: Sanyo
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 180 |
