ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTE48, Trans Darlington NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NTE Electronics
NTE48, Trans Darlington NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TO-92
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NTE48, Trans Darlington NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TO-92
Последняя цена
231 руб.
Сравнить
Описание
Биполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 50V 1A 1GHz 1W Through Hole TO-92L
Информация
Производитель
NTE Electronics
Артикул
NTE48
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1739507
Технические параметры
Вес, г
0.31
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
4000 @ 1A, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
1GHz
HTSUS
8541.29.0095
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Bag
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Power - Max
1W
RoHS Status
RoHS non-compliant
Supplier Device Package
TO-92L
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 2mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Техническая документация
Datasheet NTE48 , pdf
, 25 КБ