EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

BFT92,215, Транзистор, PNP, 5Ггц, [SOT-23]
BFT92,215, Транзистор, PNP, 5Ггц, [SOT-23]
Производитель: NXP Semiconductor, BFT92,215
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.025
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.2
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 5000

BSR52.126, NPN darlington 80В/1А [SOT-54A / TO-92]
BSR52.126, NPN darlington 80В/1А [SOT-54A / TO-92]
Производитель: NXP Semiconductor, BSR52.126
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 2000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.83
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

FMMT617TA, Транзистор NPN 15В 3А 625мВт [SOT-23]
FMMT617TA, Транзистор NPN 15В 3А 625мВт [SOT-23]
Производитель: Diodes Incorporated, FMMT617TA
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 120

NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.

КТ3132Е2, Транзистор [SOT-23]
КТ3132Е2, Транзистор [SOT-23]
Производитель: Россия, КТ3132Е2
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 10
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.085
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 70…150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.075
Корпус кт-46(sot-23)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

КТ831Г
КТ831Г
Производитель: Россия
Структура npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 5
Корпус кт-2
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]
MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJ11032G
Структура npn darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 50
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 300
Корпус то-3

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

MMBT4124, Транзистор NPN 25V 0.2A [SOT23-3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBT4124
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

PBSS4350T,215, Транзистор NPN 50В 2А 0.48Вт [SOT-23-3]
PBSS4350T,215, Транзистор NPN 50В 2А 0.48Вт [SOT-23-3]
Производитель: Nexperia, PBSS4350T,215
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.54
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент ус…

PBSS5350T,215, Транзистор PNP 50В 2А 0.48Вт [SOT-23-3]
PBSS5350T,215, Транзистор PNP 50В 2А 0.48Вт [SOT-23-3]
Производитель: Nexperia, PBSS5350T,215
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.54
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент ус…

PDTA114ET,215, Транзистор, PNP Digital, 50В, 0.1A, R1=10кОм, R1=10кОм [SOT-23-3]
PDTA114ET,215, Транзистор, PNP Digital, 50В, 0.1A, R1=10кОм, R1=10кОм [SOT-23-3]
Производитель: Nexperia, PDTA114ET,215
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 230

Цифровые PNP-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia