ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FSB560A - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FSB560A
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FSB560A
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
Биполярный (BJT) транзистор NPN 60V 2A 75MHz 500mW Surface Mount 3-SSOT
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1740285
Технические параметры
Base Product Number
FSB560 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 500mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
75MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
500mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
3-SSOT
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
