2SA1972, Транзистор PNP 400В 0.5А [TO-92MOD]
![2SA1972, Транзистор PNP 400В 0.5А [TO-92MOD]](/file/p_img/1742412.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SA1972
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 140 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.9 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 35 |
2SC2873-Y, Транзистор
Производитель: Toshiba, 2SC2873-Y
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 70…240 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.5 |
| Корпус | SOT-89 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
![2SC2911, Транзистор биполярный, NPN, 160 В, 0.14 А, 1 Вт [TO-126]](/file/p_img/1742410.jpg)
2SC5914, SC-94
Производитель: Matsushita (Panasonic), 2SC5914
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Корпус | top3e |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SC6090, Транзистор NPN 700В 10А 35Вт [TO-220LS]
![2SC6090, Транзистор NPN 700В 10А 35Вт [TO-220LS]](/file/p_img/1742407.jpg)
Производитель: Sanyo, 2SC6090
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 700 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 35 |
| Корпус | to-220ls |
2Т307Г-1
Производитель: Нет торговой марки
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 10 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.02 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.15 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
BCX70J.215 PBF
Производитель: NXP Semiconductor
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40…460 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
BD680A, Транзистор
Производитель: ST Microelectronics, BD680A
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Корпус | sot-32(to-126) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 |
Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 4 А; Pрасс: 40 Вт; h21: от 750 Корпус TO225, Тип проводимости и конфигур…
BDW42G, Транзистор Darlington NPN 100В 15А 85Вт [TO-220AB]
![BDW42G, Транзистор Darlington NPN 100В 15А 85Вт [TO-220AB]](/file/p_img/1742284.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BDW42G
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 85 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor