ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSR52.126, NPN darlington 80В/1А [SOT-54A / TO-92] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BSR52.126, NPN darlington 80В/1А [SOT-54A / TO-92]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BSR52.126, NPN darlington 80В/1А [SOT-54A / TO-92]
Последняя цена
13 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BSR52.126
P/N
BSR52,126
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1742276
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
90
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
2000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.83
Корпус
to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
200
Техническая документация
BSR52 Datasheet , pdf
, 113 КБ