MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJ11032G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1741982

Вес, г

Структура

npn darlington

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В

120

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В

120

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

1000

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

300

Корпус

то-3

MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3] - характеристики, поставщики