ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
2N5416
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749047
Технические параметры
Вес, г
1.2
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
1
Корпус
TO-39
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
15
Техническая документация
2N5415, 2N5416 , pdf
, 47 КБ