ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6491G, Транзистор PNP 15A 80V [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N6491G, Транзистор PNP 15A 80V [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6491G, Транзистор PNP 15A 80V [TO-220AB]
Последняя цена
56 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N6491G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749063
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
75
Корпус
to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
5
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 241 КБ
Datasheet , pdf
, 97 КБ
2N6487-D , pdf
, 99 КБ