2SD965 (R), Транзистор NPN 35В 5А 0.75Вт [TO-92]
![2SD965 (R), Транзистор NPN 35В 5А 0.75Вт [TO-92]](/file/p_img/1749627.jpg)
Производитель: Китай, 2SD965 (R)
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 35 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.75 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
2SD882Q, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=30В, Vcbo=60В, Pd=12.5Вт [TO-126]
![2SD882Q, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=30В, Vcbo=60В, Pd=12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1749626.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD882Q
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 10 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 90 |
2SD882P, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=30В, Vcbo=60В, Pd=12.5Вт [TO-126]
![2SD882P, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=30В, Vcbo=60В, Pd=12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1749625.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD882P
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 10 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 90 |
2SD880, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=60В, Vcbo=60В, Pd=30Вт, hFE= 60…300 [TO-220]
![2SD880, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=60В, Vcbo=60В, Pd=30Вт, hFE= 60…300 [TO-220]](/file/p_img/1749624.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD880
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60…300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD863
Производитель: Sanyo
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.9 |
| Корпус | mp(sc-51) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
2SD774, Транзистор NPN 100В 1А 1Вт [SP-8]
![2SD774, Транзистор NPN 100В 1А 1Вт [SP-8]](/file/p_img/1749622.jpg)
Производитель: Нет торговой марки, 2SD774
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 135 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Корпус | sp8 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
2SD773
Производитель: Нет торговой марки
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 17 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 135 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Корпус | sp8 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
2SD734, Транзистор NPN 20В 0.7А 0.6Вт [TO-92]
![2SD734, Транзистор NPN 20В 0.7А 0.6Вт [TO-92]](/file/p_img/1749620.jpg)
Производитель: Sanyo, 2SD734
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.7 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.6 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
2SD718, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=120В, Vcbo=120В, Pd=80Вт [TO-3PN]
![2SD718, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=120В, Vcbo=120В, Pd=80Вт [TO-3PN]](/file/p_img/1749619.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD718
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 |
| Корпус | TO-3PN |
KTD718-O (2SD718), Транзистор NPN 120В 8А 80Вт [SC-67]
![KTD718-O (2SD718), Транзистор NPN 120В 8А 80Вт [SC-67]](/file/p_img/1749618.jpg)
Производитель: Korea Electronics, KTD718-O (2SD718)
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 |
| Корпус | TO-3PN |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 12 |