ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP69T1G SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BCP69T1G SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP69T1G SOT223
Последняя цена
16 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
P/N
BCP69T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758653
Технические параметры
Вес, г
0.85
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
25
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
85
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
1.5
Корпус
to-261aa
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 127 КБ
Datasheet , pdf
, 199 КБ
Datasheet BCP69T1G , pdf
, 123 КБ