ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCR112E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50В 100мА, [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCR112E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50В 100мА, [SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCR112E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50В 100мА, [SOT-23]
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Infineon
Линейка биполярных переходных транзисторов от Infineon, оснащенных встроенными резисторами, позволяющими напрямую управлять устройствами от цифровых источников без дополнительных компонентов. Устройства с двойным резистором имеют последовательный входной резистор плюс резистор, подключенный между базой транзистора и эмиттером.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BCR112E6327HTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758655
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0.1
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.2
Корпус
sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
140
Техническая документация
Datasheet BCR112E6327HTSA1 , pdf
, 837 КБ