BCV47,215, Транзистор, NPN, 60В, 0.8А, [SOT-23]
![BCV47,215, Транзистор, NPN, 60В, 0.8А, [SOT-23]](/file/p_img/1758677.jpg)
Производитель: Nexperia, BCV47,215
| Структура | npn darlington |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 220 |
Транзисторы Дарлингтона, Nexperia
BCV47, Транзистор NPN Darlington 60В 0.5А [SOT-23]
![BCV47, Транзистор NPN Darlington 60В 0.5А [SOT-23]](/file/p_img/1758676.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCV47
| Структура | npn darlington |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,36 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 170 |
Транзисторы Дарлингтона, Infineon
BCV46E6327HTSA1, Транзистор PNP 60В 0.5А [SOT23]
![BCV46E6327HTSA1, Транзистор PNP 60В 0.5А [SOT23]](/file/p_img/1758675.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCV46E6327HTSA1
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 220 |
Транзисторы Дарлингтона, Infineon
BCV27, Транзистор NPN Дарлингтона, 40В 0.5А 0.250Вт, [SOT-23]
![BCV27, Транзистор NPN Дарлингтона, 40В 0.5А 0.250Вт, [SOT-23]](/file/p_img/1758674.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BCV27
| Структура | npn darlington |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 220 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, Fairchild Semiconductor
BCV26, Транзистор PNP, 30v 0.5A 200MHz h 20K, [SOT-23]
![BCV26, Транзистор PNP, 30v 0.5A 200MHz h 20K, [SOT-23]](/file/p_img/1758673.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BCV26
| Структура | pnp darlington |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 220 |
Транзисторы Дарлингтона PNP, Fairchild Semiconductor
BCV26E6327HTSA1, PNP, 30v 0.5A 200MHz h 20K, [SOT-23]
![BCV26E6327HTSA1, PNP, 30v 0.5A 200MHz h 20K, [SOT-23]](/file/p_img/1758672.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCV26E6327HTSA1
| Структура | pnp darlington |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 220 |
BCR562E6327HTSA1, Цифровой транзистор PNP 50В 500мА 330мВт R1/R2=4.7кОм [SOT-23-3]
![BCR562E6327HTSA1, Цифровой транзистор PNP 50В 500мА 330мВт R1/R2=4.7кОм [SOT-23-3]](/file/p_img/1758667.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR562E6327HTSA1
| Структура | pnp с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,33 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
PNP DIGITALTRANS. 50V SOT23 Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 330 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В,…
BCR512E6327HTSA1, Транзистор, NPN Digital, 50В, 0.5A, 0.33Вт, [SOT-23]
![BCR512E6327HTSA1, Транзистор, NPN Digital, 50В, 0.5A, 0.33Вт, [SOT-23]](/file/p_img/1758666.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR512E6327HTSA1
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.33 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Infineon Линейка биполярных переходных транзисторов от Infineon, оснащенных встрое…
BCR198WH6327XTSA1, Транзистор PNP Digital 250мВт [SOT-323-3]
![BCR198WH6327XTSA1, Транзистор PNP Digital 250мВт [SOT-323-3]](/file/p_img/1758664.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR198WH6327XTSA1
| Структура | pnp с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | SOT-323 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 190 |
Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Infineon Линейка биполярных переходных транзисторов от Infineon, оснащенных встрое…
BCR185E6327HTSA1, Транзистор, PNP Digital, 50В, 0.1А, 0.2Вт, R1=10кОм, R2=47кОм, [SOT-23]
![BCR185E6327HTSA1, Транзистор, PNP Digital, 50В, 0.1А, 0.2Вт, R1=10кОм, R2=47кОм, [SOT-23]](/file/p_img/1758663.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR185E6327HTSA1
| Структура | pnp с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |