BD13816STU, Транзистор PNP -60В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD13816STU, Транзистор PNP -60В -1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758709.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD13816STU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
Силовые транзисторы PNP, Fairchild Semiconductor
BD13810STU, Транзистор PNP -60В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD13810STU, Транзистор PNP -60В -1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758708.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BD13810STU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 63…160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
BD137, Транзистор NPN 60В 1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD137, Транзистор NPN 60В 1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758707.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BD137
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 63…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 190 |
BD13716STU, Транзистор NPN 60В 1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD13716STU, Транзистор NPN 60В 1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758706.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BD13716STU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 190 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, от 60 до 100 В, Fairchild Semiconductor
BD136, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD136, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758705.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BD136
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 63…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
Транзисторы PNP общего назначения, STMicroelectronics
BD13616STU, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD13616STU, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758704.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD13616STU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
Малосигнальные транзисторы PNP, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
BD136-16, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD136-16, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758703.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BD136-16
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
Транзисторы PNP общего назначения, STMicroelectronics
BD13610STU, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD13610STU, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758702.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD13610STU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 63…160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
BD13510STU, Транзистор [TO-126]
![BD13510STU, Транзистор [TO-126]](/file/p_img/1758701.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD13510STU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 63 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 12.5 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
BD135, Транзистор NPN 45В 1.5А 12.5Вт [SOT-32]
![BD135, Транзистор NPN 45В 1.5А 12.5Вт [SOT-32]](/file/p_img/1758700.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BD135
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 63…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 190 |
NPN-транзисторы общего назначения, STMicroelectronics