ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBT3906WT1G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBT3906WT1G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBT3906WT1G, Транзистор
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные транзисторы PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMBT3906WT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1783165
Технические параметры
Вес, г
0.017
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0.4 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 МГц
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2мм
Maximum Collector Base Voltage
-40 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
40 В
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Maximum Power Dissipation
150 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.35mm
Maximum DC Collector Current
200 мА
Height
1мм
Pin Count
2
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1mm
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Minimum DC Current Gain
30
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-0.95 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 129 КБ
Datasheet MMBT3906WT1G , pdf
, 248 КБ
