ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NSV60600MZ4T1G, Транзистор [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NSV60600MZ4T1G, Транзистор [SOT-223]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NSV60600MZ4T1G, Транзистор [SOT-223]
Последняя цена
67 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы PNP общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NSV60600MZ4T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1785073
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.218
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
-100 В пост. тока
Brand
ON Semiconductor
Package Type
SOT-223
Maximum Emitter Base Voltage
-6 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип транзистора
PNP
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0,35 В
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
6 A
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3+Tab
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 74 КБ
83801945096801nss60600mz4-d , pdf
, 67 КБ
Datasheet , pdf
, 165 КБ
Datasheet , pdf
, 70 КБ