EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

PUMD12,115, Транзисторная сборка NPN/PNP с резисторами, 50В, 100мА, 300мВт, R1/R2= 47кОм, AEC-Q101 [SOT-363]
PUMD12,115, Транзисторная сборка NPN/PNP с резисторами, 50В, 100мА, 300мВт, R1/R2= 47кОм, AEC-Q101 [SOT-363]
Производитель: Nexperia, PUMD12,115
Структура npn/pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,1
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,2
Корпус SOT-363

PUMD12 - это транзисторная матрица с резистором NPN-PNP в пластиковом корпусе для поверхностного монтажа. Это биполярное устройство подходит для…

PN2907ATF, Транзистор BJT PNP 60В 0.8А [TO-92]
PN2907ATF, Транзистор BJT PNP 60В 0.8А [TO-92]
Производитель: Fairchild Semiconductor, PN2907ATF

Малосигнальные транзисторы PNP, от 60 до 160 В, Fairchild Semiconductor

PN2907A-AP, Транзистор BJT PNP 60В 0.6А [TO-92 Ammo]
PN2907A-AP, Транзистор BJT PNP 60В 0.6А [TO-92 Ammo]
Производитель: Micro Commercial Components, PN2907A-AP

PN2222ATA, Транзистор BJT NPN 40В 1А 0.625Вт [TO-92 Ammo]
PN2222ATA, Транзистор BJT NPN 40В 1А 0.625Вт [TO-92 Ammo]
Производитель: Fairchild Semiconductor, PN2222ATA

Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor

PN2222AL-T92-B, Транзистор NPN [TO-92]
PN2222AL-T92-B, Транзистор NPN [TO-92]
Производитель: UTC, PN2222AL-T92-B

PN2222ABU, Транзистор
PN2222ABU, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, PN2222ABU

Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor

PN2222A, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,6А; 0,625Вт; TO92
PN2222A, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,6А; 0,625Вт; TO92
Производитель: Continental Device India, PN2222A

KSP2222ABU, Транзистор биполярный, NPN, Ic=600мА, Vceo=40В, Vcbo=75В, Pd=625мВт, (=2N2222A) [TO-92]
KSP2222ABU, Транзистор биполярный, NPN, Ic=600мА, Vceo=40В, Vcbo=75В, Pd=625мВт, (=2N2222A) [TO-92]
Производитель: ON Semiconductor, KSP2222ABU
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor

PMST3906,115, Транзистор PNP, 40В, 200мА, 200мВт [SOT-323]
PMST3906,115, Транзистор PNP, 40В, 200мА, 200мВт [SOT-323]
Производитель: Nexperia, PMST3906,115
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,2
Корпус SOT-323
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 250

Малосигнальные транзисторы PNP, Nexperia

PMST3904,115, Транзистор NPN, 40В, 200мА, 200мВт [SOT-323]
PMST3904,115, Транзистор NPN, 40В, 200мА, 200мВт [SOT-323]
Производитель: Nexperia, PMST3904,115
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.2
Корпус SOT-323
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

Малосигнальные NPN-транзисторы