2SC5569-TD-E, Транзистор GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
![2SC5569-TD-E, Транзистор GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R](/file/p_img/1815423.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 2SC5569-TD-E
NPN-транзисторы общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor
FMMT717TA, Транзистор PNP; bipolar; 12V; 2.5A; 625mW; SOT23
![FMMT717TA, Транзистор PNP; bipolar; 12V; 2.5A; 625mW; SOT23](/file/p_img/1815396.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, FMMT717TA
Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.
FJV3113RMTF, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
![FJV3113RMTF, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм](/file/p_img/1815368.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FJV3113RMTF
RN1405(TE85L,F), Транзистор NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1:2.2k
![RN1405(TE85L,F), Транзистор NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1:2.2k](/file/p_img/1815125.jpg)
Производитель: Toshiba, RN1405(TE85L,F)
Транзистор со встроенным резистором, BRT Series S-MINI (SC-59), Toshiba
2N3904TAR, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 625 мВт, 200 мА, 30 hFE
![2N3904TAR, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 625 мВт, 200 мА, 30 hFE](/file/p_img/1815020.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 2N3904TAR
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
BUJ302AD,118, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 80 Вт, 4 А, 66 hFE
![BUJ302AD,118, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 80 Вт, 4 А, 66 hFE](/file/p_img/1815005.jpg)
Производитель: WeEn Semiconductors, BUJ302AD,118
• 150 ° C Температура перехода
FZT600TA, Транзистор 140V 2A SOT223
![FZT600TA, Транзистор 140V 2A SOT223](/file/p_img/1814983.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, FZT600TA
Darlington Transistors, Diodes Inc.
КТ228Б9 (2021г), Транзистор PNP, 0.5А, 45В, h21e=100…250 [КТ-46 / SOT-23] (ВС807-16)
![КТ228Б9 (2021г), Транзистор PNP, 0.5А, 45В, h21e=100…250 [КТ-46 / SOT-23] (ВС807-16)](/file/p_img/1814913.jpg)
Производитель: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», КТ228Б9 (2021г)
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…250 |
Корпус | кт-46(sot-23) |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 80 |
КТ229Б9 (2021г), Транзистор NPN, 0.5А, 45В, h21e=100…250 [КТ-46 / SOT-23] (ВС817-16)
![КТ229Б9 (2021г), Транзистор NPN, 0.5А, 45В, h21e=100…250 [КТ-46 / SOT-23] (ВС817-16)](/file/p_img/1814912.jpg)
Производитель: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», КТ229Б9 (2021г)
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…250 |
Корпус | кт-46(sot-23) |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |