2SC5569-TD-E, Транзистор GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

NPN-транзисторы общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

2SC5569-TD-E

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1815423

Технические параметры

Вес, г

0.1

Number of Elements per Chip

Pin Count

Minimum DC Current Gain

200@500mA@2V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.75

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.2@40mA@2A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.17@40mA@2A|0.24@175mA@3.5A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

1300

Maximum Transition Frequency (MHz)

330(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

TO-243-AA

Supplier Package

SOT-89

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.5

Package Length

4.5

Package Width

2.5

PCB changed

Tab

Lead Shape

Flat

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 354 КБ
Datasheet , pdf , 365 КБ

2SC5569-TD-E, Транзистор GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация