SMMUN2211LT1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель: ON Semiconductor, SMMUN2211LT1G
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor
MMBT5401-7-F, Биполярный транзистор, PNP, -150 В, 300 МГц, 310 мВт, -600 мА, 50 hFE
Производитель: Diodes Incorporated, MMBT5401-7-F
Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.
КТ851Б (2019г), Транзистор PNP, 2А, 250В, h21e =20 [КТ-28-2 / TO-220] (2SA740)
![КТ851Б (2019г), Транзистор PNP, 2А, 250В, h21e =20 [КТ-28-2 / TO-220] (2SA740)](/file/p_img/1816182.jpg)
Производитель: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», КТ851Б (2019г)
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 25 |
| Корпус | КТ-28-2 / TO-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 20 |
2STBN15D100, Транзистор NPN 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Производитель: ST Microelectronics, 2STBN15D100
2STBN15D100 - это низковольтный силовой транзистор Дарлингтона NPN, изготовленный по технологии Planar с "Base Island"; макет. Подходит для испо…
PUMB2,115, Микросхема
Производитель: Nexperia, PUMB2,115
• Выходной ток 100 мА • Уменьшает количество компонентов • Соответствует AEC-Q101
BD239C, Транзистор NPN 100В 2A TO-220
Производитель: ON Semiconductor, BD239C
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
MMBT4403LT3G, TRANSISTOR PNP 40V 600MA SWITCHING SOT23
Производитель: ON Semiconductor, MMBT4403LT3G
Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor
КТ8218Г (2013-16г), Транзистор NPN, 4А, 100В, h21e=750…15000 [1509.4-1 / TO-251] (MJD112-1)
![КТ8218Г (2013-16г), Транзистор NPN, 4А, 100В, h21e=750…15000 [1509.4-1 / TO-251] (MJD112-1)](/file/p_img/1815758.jpg)
Производитель: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», КТ8218Г (2013-16г)
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750…15000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
| Корпус | 1509.4-1 / TO-251 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 25 |
ULN2003AD, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 25 Вт, 500 мА, 600 hFE, SOIC
Производитель: Texas Instruments, ULN2003AD
Массив биполярных (BJT) транзисторов 7 NPN Darlington 50V 500mA поверхностный монтаж 16-SOIC