ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BUJ302AD,118, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 80 Вт, 4 А, 66 hFE - характеристики, поставщики
ELDG.ru
WeEn Semiconductors
BUJ302AD,118, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 80 Вт, 4 А, 66 hFE
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BUJ302AD,118, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 80 Вт, 4 А, 66 hFE
Последняя цена
155 руб.
Сравнить
Описание
• 150 ° C Температура перехода
Информация
Производитель
WeEn Semiconductors
Артикул
BUJ302AD,118
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1815005
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
400В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
80Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
4А
DC Усиление Тока hFE
66hFE
Вес, г
0.33
Техническая документация
Datasheet BUJ302AD,118 , pdf
, 533 КБ