BCX56H6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT89
![BCX56H6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT89](/file/p_img/1832418.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCX56H6327XTSA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT AF TRA…
BCR141E6327, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23
![BCR141E6327, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23](/file/p_img/1832341.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR141E6327
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - С предвари…
BC847A.215, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон SOT23
![BC847A.215, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон SOT23](/file/p_img/1832126.jpg)
Производитель: Nexperia, BC847A.215
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT TRANS…
BC817UE6327HTSA1
![BC817UE6327HTSA1](/file/p_img/1831994.jpg)
Производитель: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN S…
NSVT65011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 300 hFE, SOT-363
![NSVT65011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 300 hFE, SOT-363](/file/p_img/1819825.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, NSVT65011MW6T1G
Биполярные транзисторы - BJT Dual Matched NPN Tra
MPSA18RLRMG, Транзистор NPN 45В 0.2A TO-92 Formed Leads
Производитель: ON Semiconductor, MPSA18RLRMG
КТ945Б (198*г), Транзистор NPN [ТО-3]
Производитель: Россия, КТ945Б (198*г)
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 150 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10…60 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
Корпус | КТ-9 /TO-3 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 51 |
BC848CDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 30 В, 380 мВт, 100 мА, 420 hFE, SOT-363
![BC848CDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 30 В, 380 мВт, 100 мА, 420 hFE, SOT-363](/file/p_img/1819696.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC848CDW1T1G
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V Dual NPN