Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить


Биполярные (BJTs)

BCX56H6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT89
BCX56H6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT89
Производитель: Infineon Technologies, BCX56H6327XTSA1

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT AF TRA…

BCR141E6327, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23
BCR141E6327, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23
Производитель: Infineon Technologies, BCR141E6327

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - С предвари…

BC847A.215, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон SOT23
BC847A.215, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон SOT23
Производитель: Nexperia, BC847A.215

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT TRANS…

BC817UE6327HTSA1
BC817UE6327HTSA1
Производитель: Infineon Technologies

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN S…

MMUN2112LT1 (SMD) SOT
Производитель: ON Semiconductor

NSVT65011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 300 hFE, SOT-363
NSVT65011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 300 hFE, SOT-363
Производитель: ON Semiconductor, NSVT65011MW6T1G

Биполярные транзисторы - BJT Dual Matched NPN Tra

MPSA18RLRMG, Транзистор NPN 45В 0.2A TO-92 Formed Leads
Производитель: ON Semiconductor, MPSA18RLRMG

BC556B
BC556B
Производитель: DC Components

КТ945Б (198*г), Транзистор NPN [ТО-3]
Производитель: Россия, КТ945Б (198*г)
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10…60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 50
Корпус КТ-9 /TO-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 51

BC848CDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 30 В, 380 мВт, 100 мА, 420 hFE, SOT-363
BC848CDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 30 В, 380 мВт, 100 мА, 420 hFE, SOT-363
Производитель: ON Semiconductor, BC848CDW1T1G

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V Dual NPN