ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817UE6327HTSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BC817UE6327HTSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817UE6327HTSA1
Последняя цена
74 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1831994
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Base Product Number
BC817 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
170MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-74, SOT-457
Power - Max
330mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-SC74-6
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Pd - рассеивание мощности
330 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
160
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
1000 mA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
500 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC817
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SC-74-6
Другие названия товара №
BC 817U E6327 SP000012394
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
400
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
170 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Техническая документация
Datasheet BC817UE6327HTSA1 , pdf
, 522 КБ
