КТ3166Б (199*г), Биполярный транзистор PNP [TO-92]
![КТ3166Б (199*г), Биполярный транзистор PNP [TO-92]](/file/p_img/1818945.jpg)
Производитель: Россия, КТ3166Б (199*г)
| Структура | npn |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 280…1000 |
| Корпус | to-92 |
BCR119, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BCR119
Цифровые транзисторы с одним резистором, Infineon
MJD47G, Транзистор
Производитель: ON Semiconductor, MJD47G
Биполярный (BJT) транзистор NPN 250V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK
FMMT591A, Транзистор
Производитель: Diodes Incorporated, FMMT591A
• FMMT491A Дополнительный тип NPN • от -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур
PBSS4140DPN,115, Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, PNP, 40 В, 370 мВт, -1 А, 300 hFE, SOT-457
Производитель: Nexperia, PBSS4140DPN,115
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер • Высокая токовая нагрузка • Повышенная надежность устройства за счет снижения тепловы…
MMBT2907AWT1G, Диод
Производитель: ON Semiconductor, MMBT2907AWT1G
• Без галогенов • Соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает PPAP
LBSS84LT1G, =BSS84LT1G ONS; SOT-23-3 (TO-236), Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 130 мА, 0.225W
Производитель: Leshan Radio Co, LBSS84LT1G
MMBTA06-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 100 МГц, 300 мВт, 500 мА, 100 hFE
Производитель: Diodes Incorporated, MMBTA06-7-F
• Класс воспламеняемости UL94V-0 • Конструкция эпитаксиальной планарной матрицы • MMBTA56 Дополнительный тип PNP • Безгалогеновое…