ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC848CDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 30 В, 380 мВт, 100 мА, 420 hFE, SOT-363 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC848CDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 30 В, 380 м…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC848CDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 30 В, 380 мВт, 100 мА, 420 hFE, SOT-363
Последняя цена
20.8 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V Dual NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BC848CDW1T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1819696
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-363
Рассеиваемая Мощность
380мВт
Полярность Транзистора
Двойной NPN
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
420hFE
Вес, г
0.01
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 105 КБ
Datasheet , pdf
, 233 КБ
Datasheet , pdf
, 180 КБ