IRLML6401GTRPBF, Транзистор PNP 12В 4,3А [SOT-23]
![IRLML6401GTRPBF, Транзистор PNP 12В 4,3А [SOT-23]](/file/p_img/1483450.jpg)
Производитель: Hottech, IRLML6401GTRPBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Корпус | Micro3/SOT23 |
IRF510PBF, транзистор Nкан 100В 5.6А TO220AB
Производитель: Vishay, IRF510PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Корпус | to220ab |
транзисторы полевые импортные N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
IRFHM9331TRPBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3x3.3] (=IRFHM9331TR2PBF)
![IRFHM9331TRPBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3x3.3] (=IRFHM9331TR2PBF)](/file/p_img/1482643.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRFHM9331TRPBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.01 Ом/11А, 20В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.8 |
| Крутизна характеристики, S | 16 |
| Корпус | PQFN-8(3.3X3.3) |
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon Диапазон дискретных мощных MOSFET-транзисторов Infineon включает P-канальные устройства…
IRFI9540GPBF
Производитель: Vishay
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220-3, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 11 А,…
