ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF510PBF, транзистор Nкан 100В 5.6А TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRF510PBF, транзистор Nкан 100В 5.6А TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF510PBF, транзистор Nкан 100В 5.6А TO220AB
Последняя цена
84 руб.
Сравнить
Описание
транзисторы полевые импортные
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRF510PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1482670
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Максимальный непрерывный ток стока
5.6 A
Максимальное рассеяние мощности
43 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7мм
Высота
9.01мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
540 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
5.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
43
Корпус
to220ab
Id - непрерывный ток утечки
5.6 A
Pd - рассеивание мощности
43 W
Qg - заряд затвора
8.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
540 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
16 ns
Время спада
9.4 ns
Длина
10.41мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
1.3 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
IRF
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
15 нс
Типичное время задержки при включении
6.9 ns
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Тип корпуса
TO-220AB
Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6.9 ns
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
8.3 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
180 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
5.6
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
540@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Maximum Power Dissipation (mW)
43000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
180@25V
Крутизна характеристики S,А/В
1.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
540
Температура, С
-55…+175
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
8.3(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
8.3(Max)
Typical Fall Time (ns)
9.4
Typical Rise Time (ns)
16
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
15
Typical Turn-On Delay Time (ns)
6.9
Automotive
No
Military
No
Package Height
9.01(Max)
Package Length
10.41(Max)
Package Width
4.7(Max)
Tab
Tab
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
4
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
25
Техническая документация
IRF510 , pdf
, 98 КБ
Datasheet , pdf
, 282 КБ
Datasheet IRF510PBF , pdf
, 281 КБ