Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.115 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	79
Крутизна характеристики, S	6.4
Корпус	ipak

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	43
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0158 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	71
Крутизна характеристики, S	41
Корпус	ipak

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	56
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.018 Ом/33А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	140
Крутизна характеристики, S	39
Корпус	ipak

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.009 Ом/46А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	140
Крутизна характеристики, S	170
Корпус	ipak

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	56
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.016 Ом/34А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	110
Крутизна характеристики, S	30
Корпус	ipak

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включае…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	600
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	43
Крутизна характеристики, S	2.6
Корпус	ipak

Сравнить

МОП-транзистор N-Chan 200V 2.6 Amp

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.19 Ом/5.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	35
Крутизна характеристики, S	16
Корпус	ipak

Сравнить

N-канал 100 В, 9,4 А (Tc) 48 Вт (Tc), сквозное отверстие IPAK (TO-251)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.54 Ом/0.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	25
Крутизна характеристики, S	1.6
Корпус	ipak

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Сравнить