ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFU2405PBF, Транзистор MOSFET N-CH Si 55V 56A [IPAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFU2405PBF, Транзистор MOSFET N-CH Si 55V 56A [IPAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFU2405PBF, Транзистор MOSFET N-CH Si 55V 56A [IPAK]
Последняя цена
67 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFU2405PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773258
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
56
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.016 Ом/34А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
110
Крутизна характеристики, S
30
Корпус
ipak
Техническая документация
Datasheet IRFU2405PBF , pdf
, 228 КБ