Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRLR2703PBF, Nкан 30В 22А D-Pak
Производитель: International Rectifier, IRLR2703PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 23
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 45
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Крутизна характеристики, S 6400
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRLR120NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.185 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 48
Крутизна характеристики, S 3.1
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

IRLR120NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [DPAK 2Leads+Tab]
IRLR120NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [DPAK 2Leads+Tab]
Производитель: Infineon Technologies, IRLR120NTRPBF

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1…

IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]
IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]
Производитель: International Rectifier, IRLR120NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.185 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 48
Крутизна характеристики, S 3.1
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

IRLR110PBF, Транзистор, N-канал 100В 4.3А logic [D-PAK]
IRLR110PBF, Транзистор, N-канал 100В 4.3А logic [D-PAK]
Производитель: Vishay, IRLR110PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.54 Ом/2.6А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Крутизна характеристики, S 2.3
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

4 и 5 В

IRLR024NTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 17А [D-PAK]
IRLR024NTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 17А [D-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRLR024NTRPBF

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17…

IRLP3034PBF, Транзистор, N-канал 40В 327А [ТО-247AC]
IRLP3034PBF, Транзистор, N-канал 40В 327А [ТО-247AC]
Производитель: International Rectifier, IRLP3034PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 327
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0017 Ом/195А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 341
Крутизна характеристики, S 286
Корпус to-247ac

MOSFET для управления двигателем и синхронного выпрямителя переменного тока в постоянный, Infineon

IRLMS6802TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 5.6А logic [Micro-6 / TSOP-6]
IRLMS6802TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 5.6А logic [Micro-6 / TSOP-6]
Производитель: Infineon Technologies, IRLMS6802TRPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.05 Ом/5.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 1.5
Корпус Micro-6/SOT-23-6

Корпус SOT236, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5…

IRLMS6702TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 2.5А logic [Micro-6 / TSOP-6]
IRLMS6702TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 2.5А logic [Micro-6 / TSOP-6]
Производитель: Infineon Technologies, IRLMS6702TRPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.2 Ом/1.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.7
Крутизна характеристики, S 1.5
Корпус Micro-6/SOT-23-6

Корпус TSOP-6, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2…

IRLMS2002TRPBF, МОП-транзистор MOSFET 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl, [TSOP-6]
IRLMS2002TRPBF, МОП-транзистор MOSFET 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl, [TSOP-6]
Производитель: Infineon Technologies, IRLMS2002TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 13
Корпус Micro-6/SOT-23-6

Корпус SOT236, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6…