Fairchild Semiconductor, Электронные компоненты/Транзисторы/Биполярные (BJTs) - цена, информация


BCV26, Транзистор PNP, 30v 0.5A 200MHz h 20K, [SOT-23]
BCV26, Транзистор PNP, 30v 0.5A 200MHz h 20K, [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BCV26
Структура pnp darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 220

Транзисторы Дарлингтона PNP, Fairchild Semiconductor

BC857BMTF, Транзистор PNP 45В 0.1А 150мГц 0.33Вт [SOT-23]
BC857BMTF, Транзистор PNP 45В 0.1А 150мГц 0.33Вт [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC857BMTF
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 220…475
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

BC856BMTF, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-23]
BC856BMTF, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC856BMTF
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 220…475
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

BC848B, Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц [SOT23]
BC848B, Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц [SOT23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC848B
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 220
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

BC847S
Производитель: Fairchild Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 330
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.33
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

BC81716MTF, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 310 мВт, 500 мА, 100 hFE [SOT-23]
BC81716MTF, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 310 мВт, 500 мА, 100 hFE [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC81716MTF
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.31
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor

BC81740MTF (BC817-40), Транзистор NPN 45В, 0.5А, 0.31Вт [SOT-23]
BC81740MTF (BC817-40), Транзистор NPN 45В, 0.5А, 0.31Вт [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC81740MTF (BC817-40)
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 250…600
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

BC80740MTF (BC807-40), Транзистор PNP 45В 0.5А 0.31Вт [SOT-23]
BC80740MTF (BC807-40), Транзистор PNP 45В 0.5А 0.31Вт [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC80740MTF (BC807-40)
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 250…600
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

BC80725MTF (BC807-25), Транзистор PNP 45В 0.8А 0.31Вт [SOT-23]
BC80725MTF (BC807-25), Транзистор PNP 45В 0.8А 0.31Вт [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC80725MTF (BC807-25)
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 160…400
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

BC639, Транзистор NPN 100В 0.1А 1Вт [TO-92]
BC639, Транзистор NPN 100В 0.1А 1Вт [TO-92]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC639
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.83
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100