BD244B, [TO-220]
![BD244B, [TO-220]](/file/p_img/1758729.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD244B
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
BD243B, Транзистор, [TO-220]
![BD243B, Транзистор, [TO-220]](/file/p_img/1758726.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD243B
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
BD240CTU, [TO-220]
![BD240CTU, [TO-220]](/file/p_img/1758722.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD240CTU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
| Корпус | to-220 |
BD239BTU, Транзистор биполярный, NPN, Ic=2А, Vceo=80В, Pc=30Вт [TO-220]
![BD239BTU, Транзистор биполярный, NPN, Ic=2А, Vceo=80В, Pc=30Вт [TO-220]](/file/p_img/1758721.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD239BTU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
| Корпус | to-220 |
BD13816STU, Транзистор PNP -60В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD13816STU, Транзистор PNP -60В -1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758709.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD13816STU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
Силовые транзисторы PNP, Fairchild Semiconductor
BD13616STU, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD13616STU, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758704.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD13616STU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
Малосигнальные транзисторы PNP, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
BD13610STU, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]
![BD13610STU, Транзистор PNP -45В -1.5А 12.5Вт [TO-126]](/file/p_img/1758702.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD13610STU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 63…160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
BD13510STU, Транзистор [TO-126]
![BD13510STU, Транзистор [TO-126]](/file/p_img/1758701.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD13510STU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 63 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 12.5 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
BCX19LT1G, NPN биполярный транзистор малой мощности, [SOT-23]
![BCX19LT1G, NPN биполярный транзистор малой мощности, [SOT-23]](/file/p_img/1758687.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BCX19LT1G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BCX19LT1G - это биполярный транзистор общего назначения NPN, предназначенный для использования в линейных и коммутационных приложениях. Устройст…
BCV27, Транзистор NPN Дарлингтона, 40В 0.5А 0.250Вт, [SOT-23]
![BCV27, Транзистор NPN Дарлингтона, 40В 0.5А 0.250Вт, [SOT-23]](/file/p_img/1758674.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BCV27
| Структура | npn darlington |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 220 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, Fairchild Semiconductor