BC33740TA, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.6Вт [TO-92] (BC337-40)
![BC33740TA, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.6Вт [TO-92] (BC337-40)](/file/p_img/1758454.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC33740TA
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 250…630 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
BC33725TA, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.6Вт [TO-92] (BC337-25)
![BC33725TA, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.6Вт [TO-92] (BC337-25)](/file/p_img/1758452.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC33725TA
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160…400 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
BC182LB, Транзистор NPN 60В 0.1А 0.35Вт [TO-92]
![BC182LB, Транзистор NPN 60В 0.1А 0.35Вт [TO-92]](/file/p_img/1758443.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC182LB
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
BC107B, NPN биполярный транзистор, TO-92

Производитель: Fairchild Semiconductor, BC107B
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | to-92 |
2SD362-R, NPN биполярный транзистор

Производитель: Fairchild Semiconductor, 2SD362-R
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 70 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
Корпус | TO-66 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 |
2SC5803, TO-3P-ISO

Производитель: Fairchild Semiconductor, 2SC5803
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 70 |
Корпус | TO-3PF |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
2SA1013Y, Транзистор PNP 160В 1А [TO92MOD] (=KSA1013Y)
![2SA1013Y, Транзистор PNP 160В 1А [TO92MOD] (=KSA1013Y)](/file/p_img/1749239.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, 2SA1013Y
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160…320 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.9 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 15 |
2N6517BU, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92]
![2N6517BU, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92]](/file/p_img/1749067.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, 2N6517BU
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 360 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
![2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]](/file/p_img/1749051.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, 2N5551YBU
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Тип упаковки-Bulk (россыпь); Биполярный транзистор
KSP2222ATA, Транзистор биполярный, NPN, Ic=600мА, Vceo=40В, Vcbo=75В, Pd=625мВт, (=2N2222A), [TO-92 Ammo]
![KSP2222ATA, Транзистор биполярный, NPN, Ic=600мА, Vceo=40В, Vcbo=75В, Pd=625мВт, (=2N2222A), [TO-92 Ammo]](/file/p_img/1749017.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, KSP2222ATA
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
KSP2222ATA - это биполярный транзистор NPN с базовым напряжением коллектора 75 В и током коллектора 600 мА. Он подходит для усилителей общего на…