FFB3904, Транзистор NPN, 40В, 200мА [SC70-6]
![FFB3904, Транзистор NPN, 40В, 200мА [SC70-6]](/file/p_img/1766169.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FFB3904
Структура | 2 х npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | sc-70-6 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
D44C8, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 40 МГц, 60 Вт, 4 А, 40 hFE [TO-220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, D44C8
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
Корпус | to-220 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 40 |
BSR16, Транзистор, PNP, 60В, 0.5А, [SOT-23]
![BSR16, Транзистор, PNP, 60В, 0.5А, [SOT-23]](/file/p_img/1759793.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSR16
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 35 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
Малосигнальные транзисторы PNP, от 60 до 160 В, Fairchild Semiconductor
BSR15, Транзистор, PNP, 40В, 0.8А, [SOT-23]
![BSR15, Транзистор, PNP, 40В, 0.8А, [SOT-23]](/file/p_img/1759792.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSR15
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 35 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
BSR14, Транзистор, NPN, 40В, 0.5А, [SOT-23]
![BSR14, Транзистор, NPN, 40В, 0.5А, [SOT-23]](/file/p_img/1759791.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSR14
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
BSP52, Транзистор NPN, 80 В, 200 МГц, 1.25 Вт, 1 А, 2000 hFE [SOT-223]
![BSP52, Транзистор NPN, 80 В, 200 МГц, 1.25 Вт, 1 А, 2000 hFE [SOT-223]](/file/p_img/1759780.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSP52
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
Корпус | SOT-223 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
• Возможность пайки волной или оплавлением • Дополнением PNP является BSP62T1 • Соответствует требованиям AECQ101 и поддерживает PPAP…
BD682S, [TO-126]
![BD682S, [TO-126]](/file/p_img/1758766.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD682S
Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
Корпус | to-126 |
Транзисторы Дарлингтона PNP Epitaxial Sil
BD680ASTU, Транзистор, [TO-126]
![BD680ASTU, Транзистор, [TO-126]](/file/p_img/1758762.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD680ASTU
Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
Корпус | to-126 |
BD440S, Транзистор GP BJT PNP 60V 4A [TO-126]
![BD440S, Транзистор GP BJT PNP 60V 4A [TO-126]](/file/p_img/1758744.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD440S
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
BD437S, [TO-126]
![BD437S, [TO-126]](/file/p_img/1758739.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD437S
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30…130 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |