PN2222ABU, Транзистор

Производитель: Fairchild Semiconductor, PN2222ABU
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
MMBTH81, ВЧ транзистор, PNP, 20В, 50мА 225мВт [SOT-23]
![MMBTH81, ВЧ транзистор, PNP, 20В, 50мА 225мВт [SOT-23]](/file/p_img/1783180.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBTH81
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 20 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 600 |
MMBTH81 - это ВЧ-транзистор PNP, предназначенный для обычных ВЧ-усилителей и смесителей до 250 МГц с токами коллектора в диапазоне от 1 до 30 мА…
MMBT5551, Транзистор, [SOT-23]
![MMBT5551, Транзистор, [SOT-23]](/file/p_img/1783173.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBT5551
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
Корпус | sot-23 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, более 100 В, Fairchild Semiconductor
MMBT5401, Транзистор, [SOT-23]
![MMBT5401, Транзистор, [SOT-23]](/file/p_img/1783168.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBT5401
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 150 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
Корпус SOT-23-3
MMBT3904, Транзистор NPN 40В 0.2А [SOT-23-3]
![MMBT3904, Транзистор NPN 40В 0.2А [SOT-23-3]](/file/p_img/1783158.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBT3904
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
MMBT3640, Транзистор, PNP, 12В, 0,2А [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBT3640
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30…120 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 500 |
MMBT2907A, Транзистор, [SOT-23]
![MMBT2907A, Транзистор, [SOT-23]](/file/p_img/1783154.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBT2907A
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
MJE350STU, Транзистор PNP, 300В, 0.5А, 20Вт [ТО-126] (=KSE350S)
![MJE350STU, Транзистор PNP, 300В, 0.5А, 20Вт [ТО-126] (=KSE350S)](/file/p_img/1782896.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, MJE350STU
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
Корпус | to-126 |