FMBM5401, Массив биполярных транзисторов, PNP, 150 В, 600 мА, 700 мВт, 50 hFE, SSOT
Производитель: ONSEMI, FMBM5401
FJV992FMTF, Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 50 мА, 300 мВт, SOT-23, Surface Mount
Производитель: ONSEMI, FJV992FMTF
FJV42MTF, Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 500 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount
Производитель: ONSEMI, FJV42MTF
FJT44TF, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 300 мА, 2 Вт, SOT-223, Surface Mount
Производитель: ONSEMI, FJT44TF
FJPF5027OTU, FJPF5027OTU -ON SEMICONDUCTOR - Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 3 А, 40 Вт, TO-220F, Through Hole
Производитель: ONSEMI, FJPF5027OTU
FJPF5021OTU, Биполярный транзистор, NPN, 500 В, 5 А, 40 Вт, TO-220F, Through Hole
Производитель: ONSEMI, FJPF5021OTU
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT • Кремниевый транзистор…
FJP3305H1TU, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 А, 75 Вт, TO-220, Through Hole
Производитель: ONSEMI, FJP3305H1TU
FJP1943RTU, Биполярный транзистор, PNP, 230 В, 15 А, 80 Вт, TO-220, Through Hole
Производитель: ONSEMI, FJP1943RTU
FJP13009H2TU, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт, (=MJE13009), [TO-220AB]
![FJP13009H2TU, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт, (=MJE13009), [TO-220AB]](/file/p_img/1231804.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FJP13009H2TU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 100 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Высоковольтные NPN-транзисторы, Fairchild Semiconductor