ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FJP13007H2TU, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
FJP13007H2TU, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220, T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FJP13007H2TU, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220, Through Hole
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
FJP13007H2TU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1231803
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
400В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Рассеиваемая Мощность
80Вт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
8А
DC Усиление Тока hFE
26hFE
Частота Перехода ft
4МГц
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
2
Линейка Продукции
FJP13007 Series
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 2012 КБ
