ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FJP13009H2TU, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт, (=MJE13009), [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FJP13009H2TU, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт, (=MJE13009), [TO-220A…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FJP13009H2TU, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт, (=MJE13009), [TO-220AB]
Последняя цена
95 руб.
Сравнить
Описание
Высоковольтные NPN-транзисторы, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FJP13009H2TU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1231804
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
100
Корпус
to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
4
Техническая документация
FJP13009H2TU , pdf
, 282 КБ
Datasheet , pdf
, 283 КБ
Datasheet FJP13009H2TU , pdf
, 266 КБ
Datasheet , pdf
, 282 КБ