![FMMT2222A, Транзистор NPN 40В 600мА [SOT-23-3]](/file/p_img/1766580.jpg)
FMB2227A, Транзистор, [SOT-6]
![FMB2227A, Транзистор, [SOT-6]](/file/p_img/1766555.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FMB2227A
| Структура | npn+pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.7 |
| Корпус | sc-70-6 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
FMB2227A - это универсальная биполярная транзисторная матрица NPN-PNP, разработанная для усилителя и переключателя средней мощности, требующих т…
![FJP13007TU, Транзистор NPN 400В 8А [TO-220]](/file/p_img/1766293.jpg)
FJL6920TU, Транзистор NPN VCBO=1700D VCEO=800В 20А 200Вт [TO-264]
![FJL6920TU, Транзистор NPN VCBO=1700D VCEO=800В 20А 200Вт [TO-264]](/file/p_img/1766292.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FJL6920TU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 20 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5,5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
| Корпус | TO-264 |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
FJAF6812 (J6812) TO3PF
Производитель: Fairchild Semiconductor
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 750 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | TO-3PF |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 7 |
FJA13009TU, Транзистор NPN 400В 12А [TO-3P]
![FJA13009TU, Транзистор NPN 400В 12А [TO-3P]](/file/p_img/1766290.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FJA13009TU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 130 |
| Корпус | to-3p |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Высоковольтные NPN-транзисторы, Fairchild Semiconductor
FFB3904, Транзистор NPN, 40В, 200мА [SC70-6]
![FFB3904, Транзистор NPN, 40В, 200мА [SC70-6]](/file/p_img/1766169.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FFB3904
| Структура | 2 х npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Корпус | sc-70-6 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
EK846/857, Набор SMD транзисторов (BC846B-10ш, BC857B-10шт)
Производитель: Smartmodule, EK846/857
| Структура | npn+pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…475 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Набор SMD транзисторов BC846B = 10шт, BC857B = 10штПараметры:НаименованиеМаркировкаПе…
DTC144TS
Производитель: Нет торговой марки
| Структура | npn с резистором |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Корпус | spt(sc-72 formed leads) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
DTC144TKAT146, Транзистор Pre-Biased NPN 200мВт [SMT-3 / SOT-346]
![DTC144TKAT146, Транзистор Pre-Biased NPN 200мВт [SMT-3 / SOT-346]](/file/p_img/1764254.jpg)
Производитель: Rohm, DTC144TKAT146
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 100MA