IRF6721STRPBF, Транзистор, DirectFET, N-канал 30В 14А [SQ]
![IRF6721STRPBF, Транзистор, DirectFET, N-канал 30В 14А [SQ]](/file/p_img/1772684.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF6721STRPBF
| Структура | n-канал |
| Корпус | DirectFET SQ |
IMD16AT108, Транзистор NPN/PNP Pre-Biased 0.3Вт [SMT-6 / SC-74]
![IMD16AT108, Транзистор NPN/PNP Pre-Biased 0.3Вт [SMT-6 / SC-74]](/file/p_img/1772209.jpg)
Производитель: Rohm, IMD16AT108
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP/NPN 50V 500MA SOT-457
HN1B01FDW1T1G, Транзисто NPN/PNP 50V 0.2A [SC-74]
![HN1B01FDW1T1G, Транзисто NPN/PNP 50V 0.2A [SC-74]](/file/p_img/1771455.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, HN1B01FDW1T1G
Биполярные транзисторы - BJT 200mA 60V Dual Complementary
HD1750FX, Транзистор NPN 800В 24А 75Вт [ISOWATT218FX]
![HD1750FX, Транзистор NPN 800В 24А 75Вт [ISOWATT218FX]](/file/p_img/1770967.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, HD1750FX
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 24 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 6.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 75 |
| Корпус | ISOWATT-218FX |
NPN-транзисторы общего назначения, STMicroelectronics
FZT968TA, Транзистор биполярный, PNP 12В 6А 3Вт [SOT-223]
![FZT968TA, Транзистор биполярный, PNP 12В 6А 3Вт [SOT-223]](/file/p_img/1767194.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, FZT968TA
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 180 |
Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.
FZT658TA, Транзистор NPN 400В 0.5А [SOT-223]
![FZT658TA, Транзистор NPN 400В 0.5А [SOT-223]](/file/p_img/1767193.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, FZT658TA
High Voltage Transistors, Diodes Inc.
FZT653TA, Транзистор NPN 100В 2A [SOT-223]
![FZT653TA, Транзистор NPN 100В 2A [SOT-223]](/file/p_img/1767192.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, FZT653TA
NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.
FZT1151A, Транзистор, PNP, 40В, 3А [SOT-223]
![FZT1151A, Транзистор, PNP, 40В, 3А [SOT-223]](/file/p_img/1767191.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, FZT1151A
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 250…800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 3 |
| Корпус | SOT-223 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 145 |
FZT1151A - это кремниевый планарный биполярный транзистор средней мощности с высоким коэффициентом усиления PNP, обеспечивающий рассеиваемую мощ…
FZT1049ATA, Транзистор NPN 25V 5A [SOT-223]
![FZT1049ATA, Транзистор NPN 25V 5A [SOT-223]](/file/p_img/1767190.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, FZT1049ATA
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2.5 |
| Корпус | SOT-223 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 180 |
NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.