ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FZT653TA, Транзистор NPN 100В 2A [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FZT653TA, Транзистор NPN 100В 2A [SOT-223]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FZT653TA, Транзистор NPN 100В 2A [SOT-223]
Последняя цена
43 руб.
Сравнить
Описание
NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
FZT653TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1767192
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.39
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.65 x 6.7 x 3.7мм
Высота
1.65мм
Длина
6.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.7мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
2 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
175 МГц
Число контактов
3 + Tab
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.25 V
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet FZT653 , pdf
, 636 КБ
Datasheet FZT653TA , pdf
, 967 КБ
Datasheet FZT653TA , pdf
, 655 КБ
Datasheet FZT653TA , pdf
, 631 КБ