STA401A, Мощная биполярная N-канальная сборка на составных транзисторах со вст. лавинными диодами [SIP-10]
![STA401A, Мощная биполярная N-канальная сборка на составных транзисторах со вст. лавинными диодами [SIP-10]](/file/p_img/1793115.jpg)
Производитель: Sanken Electric, STA401A
| Структура | 4 x npn npn darlington |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 4 |
| Корпус | sip-10 |
Массив биполярных (BJT) транзисторов 4 NPN Darlington (Quad) 60V 4A 4W Through Hole 10-SIP
ST8812FX, Транзистор биполярный, NPN, 600 В, 7 А, 50 Вт [ISOWATT-218FX]
![ST8812FX, Транзистор биполярный, NPN, 600 В, 7 А, 50 Вт [ISOWATT-218FX]](/file/p_img/1793110.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, ST8812FX
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 7 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 4.5…9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | ISOWATT-218FX |
Корпус ISOWATT218FX
ST13009 (L,H), Транзистор NPN 400В 12А 100Вт 9МГц (=MJE13009), [TO-220AB]
![ST13009 (L,H), Транзистор NPN 400В 12А 100Вт 9МГц (=MJE13009), [TO-220AB]](/file/p_img/1793084.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, ST13009 (L,H)
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 100 |
| Корпус | to-220 |
ST13009 - это силовой транзистор NPN с быстрым переключением, изготовленный с использованием высоковольтной многоэпитаксиальной планарной технол…
ST13007DFP, Транзистор NPN 400В 8А 80Вт [TO-220FP]
![ST13007DFP, Транзистор NPN 400В 8А 80Вт [TO-220FP]](/file/p_img/1793083.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, ST13007DFP
| Структура | npn с диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
| Корпус | to-220fp |
SS9014CBU, Транзистор биполярный, NPN 45В 0.1А 0.45Вт [TO-92]
![SS9014CBU, Транзистор биполярный, NPN 45В 0.1А 0.45Вт [TO-92]](/file/p_img/1792969.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, SS9014CBU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.45 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 270 |
SS9014CBU является эпитаксиальным, кремниевым NPN транзистором для использования в предусилителях, низкоуровневых и малошумящих устройствах.…
SS8550DBU, Транзистор PNP 25В 1.5А 200МГц [TO-92]
![SS8550DBU, Транзистор PNP 25В 1.5А 200МГц [TO-92]](/file/p_img/1792968.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, SS8550DBU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
Малосигнальные транзисторы PNP, до 30 В, Fairchild Semiconductor
SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]
![SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]](/file/p_img/1792967.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, SS8550CBU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
Малосигнальные транзисторы PNP, до 30 В, Fairchild Semiconductor
SS8550, Транзистор PNP 25В 1.5А 200МГц
Производитель: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd., SS8550
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1,5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 120…350 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,3 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
SPZT2907AT1G, Биполярный транзистор, PNP 60V 0.6A [SOT-223]
![SPZT2907AT1G, Биполярный транзистор, PNP 60V 0.6A [SOT-223]](/file/p_img/1792501.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, SPZT2907AT1G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 85 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.6 |
| Корпус | SOT-223 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 60V 600mA 200MHz 1,5W Surface Mount SOT-223-3
SBC328, PNP Si Транзистор, -30В, -800мА, 625мВт, TO92
Производитель: Китай, SBC328
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…630 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |