ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PN2222ABU, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
PN2222ABU, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PN2222ABU, Транзистор
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
PN2222ABU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1787528
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.5
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
75 V
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Высота
5.33мм
Длина
5.2мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.19мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
0.625 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 V
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-92
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 V
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
35
