TIP29C, Транзистор NPN 100В 1А [TO-220]
![TIP29C, Транзистор NPN 100В 1А [TO-220]](/file/p_img/1795367.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, TIP29C
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
Силовые транзисторы NPN, STMicroelectronics
TIP2955, Транзистор PNP 60В 15А [TO-247]
![TIP2955, Транзистор PNP 60В 15А [TO-247]](/file/p_img/1795366.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, TIP2955
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 90 |
| Корпус | to-247 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2,5 |
Силовые транзисторы PNP, STMicroelectronics
TIP2955, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-15А, Vceo=-60В, Vcbo=-100В, Pd=90Вт , hFE= 20…70 [TO-3PN]
![TIP2955, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-15А, Vceo=-60В, Vcbo=-100В, Pd=90Вт , hFE= 20…70 [TO-3PN]](/file/p_img/1795365.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, TIP2955
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 90 |
| Корпус | TO-3PN |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2.5 |
TIP150, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 300 В, 80 Вт, 7 А, 150 hFE [TO-220]
![TIP150, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 300 В, 80 Вт, 7 А, 150 hFE [TO-220]](/file/p_img/1795364.jpg)
Производитель: Multicomp, TIP150
30 В минимум) • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce (sat) = 2 В максимум при Ic = 5A) • Продукты Multicomp Pro имеют рейтинг 4,6…
TIP147TU, Дарлингтон PNP 100В 10А 125Вт [TO-3P]
![TIP147TU, Дарлингтон PNP 100В 10А 125Вт [TO-3P]](/file/p_img/1795363.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, TIP147TU
| Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 125 |
| Корпус | TO-3PN |
Транзисторы Дарлингтона PNP Epitaxial Sil Darl
TIP147T, Транзистор PNP Darlington 100В 10А [TO-220]
![TIP147T, Транзистор PNP Darlington 100В 10А [TO-220]](/file/p_img/1795362.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, TIP147T
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 125 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Транзисторы Дарлингтона PNP, STMicroelectronics
TIP147, Дарлингтон PNP 100В 10А 125Вт [TO-247]
![TIP147, Дарлингтон PNP 100В 10А 125Вт [TO-247]](/file/p_img/1795361.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, TIP147
| Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 125 |
| Корпус | to-247 |
Транзисторы Дарлингтона PNP, STMicroelectronics
TIP145, Составной транзистор PNP 60В 10А [TO-247]
![TIP145, Составной транзистор PNP 60В 10А [TO-247]](/file/p_img/1795360.jpg)
Производитель: Multicomp, TIP145
| Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 125 |
| Корпус | to-247 |
60 В минимум) • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce (sat) = 2 В максимум при Ic = 5A) • Продукция Multicomp имеет рейтинг 4,6 из…
TIP142T, Транзистор, NPN Darlington, 100В, 10А, 80Вт, [TO-220]
![TIP142T, Транзистор, NPN Darlington, 100В, 10А, 80Вт, [TO-220]](/file/p_img/1795359.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, TIP142T
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 |
| Корпус | to-220 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics
TIP142, Транзистор, NPN Darlington, 100В, 10А, 125Вт, [TO-247]
![TIP142, Транзистор, NPN Darlington, 100В, 10А, 125Вт, [TO-247]](/file/p_img/1795358.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, TIP142
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 125 |
| Корпус | to-247 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics