ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBT5401-7-F, Биполярный транзистор, PNP, -150 В, 300 МГц, 310 мВт, -600 мА, 50 hFE - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
MMBT5401-7-F, Биполярный транзистор, PNP, -150 В, 300 МГц, 310 мВт, -6…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBT5401-7-F, Биполярный транзистор, PNP, -150 В, 300 МГц, 310 мВт, -600 мА, 50 hFE
Последняя цена
3.3 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
MMBT5401-7-F
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1816211
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-150В
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
310мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
-600мА
DC Усиление Тока hFE
50hFE
Частота Перехода ft
300МГц
Вес, г
0.006
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 288 КБ
Datasheet MMBT5401-7-F , pdf
, 274 КБ
Datasheet MMBT5401-7-F , pdf
, 270 КБ
Datasheet , pdf
, 308 КБ