ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD47G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJD47G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD47G, Транзистор
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Описание
Биполярный (BJT) транзистор NPN 250V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJD47G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1818897
Технические параметры
Вес, г
0.59
Base Product Number
MJD47 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
200ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
10MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max
1.56W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 76 КБ
Datasheet , pdf
, 168 КБ
