EL

Диоды - Шоттки - купить, сравнить

Шоттки

BAT54ALT1G, 2 диода Шоттки 0.2А 30В [SOT-23]
BAT54ALT1G, 2 диода Шоттки 0.2А 30В [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, BAT54ALT1G
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 2
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 800 мВ при 100 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 2 мкА при 25 В
Рабочая температура PN-прехода -55…+150 C
Корпус SOT-23-3 / TO-236AB / SC-59

10 мА постоянного тока Низкое прямое напряжение (тип.) • Соответствует требованиям AEC и поддерживает PPAP • Не содержит свинца, галогено…

BAT54A,215, 2 диода Шоттки 0.2А 30В [SOT-23]
BAT54A,215, 2 диода Шоттки 0.2А 30В [SOT-23]
Производитель: Nexperia, BAT54A,215
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 2
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 800 мВ при 100 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 2 мкА при 25 В
Рабочая температура PN-прехода -40…+150 C
Корпус SOT-23-3 / TO-236AB / SC-59

Диоды с барьером Шоттки, 200–500 мА, Nexperia

BAT54,215, Диод Шоттки 30В 0.2А [SOT-23]
BAT54,215, Диод Шоттки 30В 0.2А [SOT-23]
Производитель: Nexperia, BAT54,215
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 800 мВ при 100 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 2 мкА при 25 В
Рабочая температура PN-прехода -40…+150 C
Корпус SOT-23-3 / TO-236AB / SC-59
Емкость при Vr, F 10 пФ при 1 В, 1 МГц

Диоды с барьером Шоттки, 200–500 мА, Nexperia

BAT54, Диод Шоттки 30В 0.2А [SOT-23]
BAT54, Диод Шоттки 30В 0.2А [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BAT54
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 800 мВ при 100 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 2 мкА при 25 В
Рабочая температура PN-прехода -55…+150 C
Корпус SOT-23-3 / TO-236AB / SC-59
Емкость при Vr, F 10 пФ при 1 В, 1 МГц

BAT48, Диод Шоттки 0.35А 40В [DO-35]
BAT48, Диод Шоттки 0.35А 40В [DO-35]
Производитель: ST Microelectronics, BAT48
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 350 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 750 мВ при 200 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 25 мкА при 40 В
Рабочая температура PN-прехода -65…+125 C
Корпус DO-204AH / DO-35
Емкость при Vr, F 20 пФ при 0 В, 1 МГц

Диоды с барьером Шоттки, до 1 А, STMicroelectronics Высокая мощность, эффективность и плотность.

BAT46WH,115, Диод Шоттки 100В 250мА [SOD-123F]
BAT46WH,115, Диод Шоттки 100В 250мА [SOD-123F]
Производитель: Nexperia, BAT46WH,115

Диоды с барьером Шоттки, от 200 мА до 500 мА

BAT46JFILM, Диод Шоттки 100В 0.15А [SOD-323]
BAT46JFILM, Диод Шоттки 100В 0.15А [SOD-323]
Производитель: ST Microelectronics, BAT46JFILM
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 100 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 150 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 450 мВ при 10 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 5 мкА при 75 В
Рабочая температура PN-прехода -40…+150 C
Корпус SOD-323
Емкость при Vr, F 10 пФ при 0 В, 1 МГц

Диоды с барьером Шоттки, до 1 А, STMicroelectronics Высокая мощность, эффективность и плотность.

BAT46, Диод Шоттки 0.15А 100В [DO-35]
BAT46, Диод Шоттки 0.15А 100В [DO-35]
Производитель: ST Microelectronics, BAT46
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 100 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 150 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 450 мВ при 10 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 5 мкА при 75 В
Рабочая температура PN-прехода -65…+125 C
Корпус DO-204AH / DO-35
Емкость при Vr, F 10 пФ при 0 В, 1 МГц

Диоды с барьером Шоттки, до 1 А, STMicroelectronics Высокая мощность, эффективность и плотность.

BAT43, Диод Шоттки, 30В, 200мА [DO-35]
BAT43, Диод Шоттки, 30В, 200мА [DO-35]
Производитель: ST Microelectronics, BAT43
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 1 В при 200 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 500 нА при 25 В
Рабочая температура PN-прехода -65…+125 C
Корпус DO-204AH / DO-35
Емкость при Vr, F 7 пФ при 1 В, 1 МГц

Диоды с барьером Шоттки, до 1 А, STMicroelectronics Высокая мощность, эффективность и плотность.

BAT42, Диод Шоттки, 30В, 200мА [DO-35]
BAT42, Диод Шоттки, 30В, 200мА [DO-35]
Производитель: ST Microelectronics, BAT42
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 1 В при 200 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 500 нА при 25 В
Рабочая температура PN-прехода -65…+125 C
Корпус DO-204AH / DO-35
Емкость при Vr, F 7 пФ при 1 В, 1 МГц

Диоды с барьером Шоттки, до 1 А, STMicroelectronics Высокая мощность, эффективность и плотность.