DFLS1100-7, Диоды с барьером Шоттки 100V 1A Automotive [PowerDI-123]
![DFLS1100-7, Диоды с барьером Шоттки 100V 1A Automotive [PowerDI-123]](/file/p_img/1762436.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, DFLS1100-7
Диоды с барьером Шоттки, от 300 мА до 1 А, Diodes Inc. Супербарьерные выпрямительные диоды (SBR) - это следующее поколение в…
C4D05120E, Диод Шоттки 1.2кВ 19А [TO-252]
![C4D05120E, Диод Шоттки 1.2кВ 19А [TO-252]](/file/p_img/1760435.jpg)
Производитель: Cree, C4D05120E
| Материал | карбид кремния |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 1200 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 19 А (DC) |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.8 В при 5 А |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 150 мкА при 1200 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+175 C |
| Корпус | DPAK / SC-63 / TO-252AA (2 Leads + Tab) |
| Емкость при Vr, F | 390 пФ при 0 В, 1 МГц |
Корпус TO252, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 1.2 кВ, Прямой ток диода (средний) 5 А, Прямое падение напряж…
C4D02120E, SiC диод Шоттки 2А 1200В [TO-252-2]
![C4D02120E, SiC диод Шоттки 2А 1200В [TO-252-2]](/file/p_img/1760434.jpg)
Производитель: Cree, C4D02120E
| Материал | карбид кремния |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 1200 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 10 А (DC) |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.8 В при 2 А |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 50 мкА при 1200 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+175 C |
| Корпус | DPAK / SC-63 / TO-252AA (2 Leads + Tab) |
| Емкость при Vr, F | 167 пФ при 0 В, 1 МГц |
SMD SiC-Schottky 1200V 5A TO252 Корпус TO252, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 1.2 кВ, Прямой ток диода…
C3D04060E, Диод Шоттки 4А 600В [TO-252-2]
![C3D04060E, Диод Шоттки 4А 600В [TO-252-2]](/file/p_img/1760428.jpg)
Производитель: Cree, C3D04060E
| Материал | карбид кремния |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 600 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 13.5 А (DC) |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.7 В при 4 А |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 50 мкА при 600 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+175 C |
| Корпус | DPAK / SC-63 / TO-252AA (2 Leads + Tab) |
| Емкость при Vr, F | 251 пФ при 0 В, 1 МГц |
Корпус TO252, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 600 В, Прямой ток диода (средний) 4 А, Прямое падение напряже…
BYS10-45-E3/TR3, Диод Шоттки 1A 45V [DO-214AC]
![BYS10-45-E3/TR3, Диод Шоттки 1A 45V [DO-214AC]](/file/p_img/1760146.jpg)
Производитель: Vishay, BYS10-45-E3/TR3
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 45 в |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1.5 а |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 500 мВ при 1 А |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 500 мкА при 45 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -65…+150 C |
| Корпус | DO-214AC / SMA |
BYS10-45-E3 / TR3 - это выпрямитель с барьером Шоттки для поверхностного монтажа с паяемыми матовыми лужеными контактами. Он подходит для исполь…
BR315_R1_00001
Производитель: PanJit Semiconductors
Диоды и выпрямители Шоттки PJ/BR315/TR/7"/HF/0.8K/SMB/SKY/SMD/SBM-30AH/SBM30-QI01/PJ///
BAT85,133, Диод Шоттки, 30В, 200мА [DO-35 / SOD-68]
![BAT85,133, Диод Шоттки, 30В, 200мА [DO-35 / SOD-68]](/file/p_img/1758353.jpg)
Производитель: Nexperia, BAT85,133
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 200 мА (DC) |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 800 мВ при 100 мА |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 2 мкА при 25 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -40…+125 C |
| Корпус | DO-204AG / DO-34 |
| Емкость при Vr, F | 10 пФ при 1 В, 1 МГц |
Диоды и выпрямители Шоттки DIODE SCHOTTKY
BAT85, Диод Шоттки, 30В, 200мА [DO-35]
![BAT85, Диод Шоттки, 30В, 200мА [DO-35]](/file/p_img/1758352.jpg)
Производитель: DC Components, BAT85
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 200 мА (DC) |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 800 мВ при 100 мА |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 2 мкА при 25 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -65…+150 C |
| Корпус | DO-204AH / DO-35 |
| Емкость при Vr, F | 10 пФ при 1 В, 1 МГц |
Корпус DO35
BAT754C,215, Диодная сборка Шоттки , 2 диода, общий катод, 30В, 200мА [SOT-23-3]
![BAT754C,215, Диодная сборка Шоттки , 2 диода, общий катод, 30В, 200мА [SOT-23-3]](/file/p_img/1758351.jpg)
Производитель: Nexperia, BAT754C,215
Диоды с барьером Шоттки, 200–500 мА, Nexperia
BAT754A,215, Диодная сборка Шоттки , 2 диода, общий анод, 30В, 200мА [SOT-23-3]
![BAT754A,215, Диодная сборка Шоттки , 2 диода, общий анод, 30В, 200мА [SOT-23-3]](/file/p_img/1758350.jpg)
Производитель: Nexperia, BAT754A,215
Диоды с барьером Шоттки, 200–500 мА, Nexperia